반도체 패턴 형성(photolithography)의 핵심 공정인 노광공정에 사용되는 감광성 물질로서 고분자(Resin), 감광제(PAG), 첨가제(Additive)등의 재료

• KrF용 Resin : polyhydroxy styrene을 기본으로 하는 다양한 폴리머
• Polymer Mw : 10,000 ~ 20,000
• i-Line, ArF resist용 Resin
• Additive : 반도체공정 및 기타 공정에 사용되는 Quenchers 및 첨가제

유기하부반사방지막(Bottom-Anti-Reflective Coating) Photolithography 공정시 빛의 반사 및 산란을 방지하기 위하여 Photoresist층 하단에 코팅하여 공정마진 향상 및 미세회로를 구현할 수 있는 물질

• High RI를 갖는 폴리머
• KrF BARC 또는 ArF BARC용 레진

Spin-on-Carbon. 반도체의 선 폭이 좁아짐에 따라 얇은 PR층의 etch내성을 보완하기 위한 Hardmask 공정으로 차세대 반도체 공정에 필수적인 재료

• 올리고머형 phenol 유도체
• 에칭내성, 평탄화 특성이 우수한 단분자 또는 폴리머

• PAG(Photo-acidgenerator) : ArF, KrF, i-line에서 빛에 의해 감응하는 산발생제, 다양한 제품군 보유(Sulfonium, loonium, Oxime계열, etc.)
• TAG(Thermal-acidgenerator) : 열에 의해 발생하는 산 발생제, 분해온도가 다양한 제품군 확보, 그 외 용도에 맞는 물질 합성 가능(Tdec 130~220℃)

• PAG(Photo-acidgenerator)
• TAG(Thermal-acidgenerator)